FRAM이란 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억 소자입니다.
DRAM과 다른점은 강유전체(Ferroelectrics)라는 재료를 캐퍼시터(Capacitor)로 사용하여 전원이
없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 것입니다.
따라서, DRAM수준의 고속성을 가지면서도 Hard disk와 같은 비휘발성을 겸비하고 있습니다.
현재, IC카드(SMART CARD)나 RFID용 TAG전용의 데이터 보존용 메모리에는 주로 EEPROM이
사용되고 있습니다. 그러나 FRAM은 EEPROM에 비해 WRITE속도가 3만배 정도 빠르고, 기록시
소비전력은 EEPROM에 비해 약1/200수준이며, 다시 쓰기 횟수는 1만배 이상 EEPROM비해 많습니다.

Fujitsu는 향후, 모든 기억소자를 대체할 수 있는 차세대의 [꿈의 기억소자]라고 일컫는 FRAM을
채용하여 RFID용 Chip/SMART CARD용 CHIP을 1999년 부터 상용화해 양산,공급하고 있습니다.