 |
|
휴대 전화용 2칩 스택형 MCP 「9㎜x 9㎜ 시리즈」을 발매
~MCP패키지의 공통화에 의한 설계자의 개발공수를 삭감~
|
 당사는 이번에, 휴대전화의 필수 부품인 플래쉬 메모리와, RAM제품 (모바일 FCRAM또는 SRAM)의 2칩9㎜x 9㎜의 PBGA(*1) 65볼에 원패키지화한 스택형 MCP 9㎜x 9㎜시리즈」을 개발했습니다.
본 시리즈의 신제품으로서, 64Mb(이하, Mb)NOR형 Dual Operation Flash Memory (이하 64Mb 플래쉬 메모리)와, 비동기 SRAM Interface 채용의 16Mb/32Mb/64Mb 모바일 FCRAM(이하, 모바일 FCRAM(*2))또는 8Mb SRAM을 탑재한 4제품을 개발해, 12월 13일부터 개시하였습니다.
최근, 휴대전화에 있어서, 기능향상과 새로운 서비스의 추가에 수반해 다양한 기술개발을 하고 있습니다. 그러나 탑재된 메모리부품에 관해서는, 패키지의 공통화가 꾀해지고 있지 않기 때문에 제품개발 도중에 필요한 메모리 용량이 변경되면, 실장 기판의 메모리 탑재부를 재설계 하지 않으면 안되어, 수많은 공정이 필요로 하였습니다.
당사는 이들의 과제를 해결하기 위하여, 휴대전화용의 메모리에 있어서 패키지의 공통화를 꾀했던 2칩 스택형 MCP 「9㎜ x 9㎜시리즈」를 개발하였습니다. 그것에 의해 설계자는 제품 개발 도중에의 급한 사양 개발 변경등에 있어서도 실장기판의 메모리 탑재부의 설계 변경을 하지 않고 필요한 메모리 용량과 기능을 편성한 MCP를 탑재할 수 있어서, 개발. 설계공수를 삭감할수 있습니다.
또한, 64Mb의 Flash Memory와 16Mb의 FCRAM을 편성한 제품에는, 종래제품과 비교해, 실장면적을 최대 약 40%(*3)삭감했습니다.
신제품에 탑재되어져 있는 프로그램 격납, 및 데이터 보존을 하는 Flash Memory은 0.17㎛프로세서 테크놀러지를 채용하고 있습니다. 본 Flash Memory는, 종래의 NOR형Flash Memory와 비교해 섹타 소거시간을 0.2초(종래품 1)로 단축, 억세스 스피드도 70나노초(이하, ns, 종래품80ns) 와, 전기적 특성을 대폭으로 향상시켰습니다.
또한, 데이터시 보존용으로서 사용하는 RAM에는, 당사 독자 개발 16Mb/32Mb/64Mb모바일 FCRAM, 또는 8Mb SRAM을 탑재하고 있습니다. 16Mb/32Mb/64Mb모바일 FCRAM은 각각 고속 억세스 타임80ns/70/ns/70ns, 스탠바이 전류 70마이크로 암페어 (이하㎂)/100㎂/150㎂,파워 다운 전류 10㎂와, 고속성과 저소비 전류를 동시에 실현시킨 휴대전화용의 ASM(Application Specific Memory)(*4)입니다.
당사는 앞으로도 고객의 어플리케이션에 최적인 메모리 시스템 솔루션을 개발해 보다 빨리 제공하겠습니다.
|
 |
[판매목표]
200만개/월 (4품종 합계)
[샘플 출하 시기]
2001년 12월 13일부터
[세금 별도 샘플 가격]
MB84VD23381FJ 3,500엔
MB84VD23481FJ 5,000엔
MB84VD23581FJ 6,000엔
MB84VD23280FA 4,500엔
[주요사양]
1.품종 구성
MB84VD23381FJ 64Mb Flash Memory/ 16Mb 모바일 FCRAM
MB84VD23481FJ 64Mb Flash Memory/ 32Mb 모바일 FCRAM
MB84VD23581FJ 64Mb Flash Memory/ 64Mb 모바일 FCRAM
MB84VD23280FJ 64Mb Flash Memory/ 8Mb FCRAM
2. 억세스 타임
주소 억세스 최대 70ns (64Mb 플래쉬 메모리)
리드 억세스 최대 80ns (16 Mb 모바일 FCRAM)
최대 70ns (32 Mb/ 64Mb 모바일 FCRAM)
최대 70ns (8Mb SRAM)
소거시간 표준 0.2s/섹터(64Mb 플래쉬 메모리)
3. 동작 전원 전압 VCC=2.7V~3.1V
|
|
4.소비전원전압 VCC=2.7V~3.1V
스탠바이 전류 최대 5㎂ (64Mb Flash Memory)
최대 70㎂ (16Mb 모바일 FCRAM)
최대 100㎂ (32Mb 모바일 FCRAM)
최대 150㎂ (64Mb 모바일 FCRAM)
최대 15㎂ (8Mb SRAM)
파워다운 전류 최대 10㎂ (16/32/64Mb 모바일 FCRAM)
파워다운(*5) 전류
최대70㎂ (8Mb 데이터 시) (32Mb 모바일FCRAM)
최대 85㎂(16Mb데이타 시) (64Mb 모바일FCRAM)
읽어내는 동작 최대 18미리 암페어 (이하,mA)(5MHz동작시)(64Mb플래쉬 메모
리)
최대20미리 암페어(16Mb 모바일FCRAM)
최대 25미리 암페어(32/64Mb 모바일FCRAM)
최대 40미리 암페어(10Mhz동작시)(8Mb SRAM)
써넣는/ 소거 동작 최대 35미리 암페어(64 Mb플래쉬 메모리)
소거/ 써넣는 횟수 10만회(64Mb 플래쉬 메모리)
5.패키지
JEDEC표준 PBGA 65볼(신호볼;56, 보강볼;9)
패키지 사이즈 9㎜×9㎜×1.4㎜(높이), 0.8㎜볼피치
*1 PBGA (Plastic Ball Grid Array)
표면 실장형 플라스틱 패키지의 일종입니다.
*2 모바일 FCRAM(Fast Cycle Random Access Memory)
FCRAM은, 후지쯔 독자개발의 차세대 메모리 코아 기술입니다.
모바일 FCRAM은, 그 기술을 이용해, 휴대전화 단말용의 저소비 전력화를
꾀해, 비동기 SRAM형 인터
페이스를 채용한 것입니다.
*3 64Mb 플래쉬 메모리와 16Mb 모바일FCRAM 탑재 제품MB84VD23381EJ의 패
키지 사이즈 11㎜ ×12㎜을
비교한 경우입니다.
*4 ASM(Application Specific Memory)
용도별로 전용화한 메모리 제품을 말합니다. 당사는, FCRAM코아를 기초로 최
적화한 용량, 성능,기능, 인터
페이스를 탑재해, 고객의 용도에 맞는 솔루션을
제공하고 있습니다.
*5 Partial Power Down
소비전류를 절감하기 위해서의 동작모드로, 전용량 중의 일부 용량 사이즈 부분 (32Mb모바일 FCRAM에서는
8Mb, 64Mb모바일FCRAM에는
16Mb)만 스탠바이(데이터 보존)상태로 됩니다. 이것에 의해 통상의 스텐바이
모드에서도 소비 전류를 절감하고 있습니다.
|
 Back |
|
|
|
