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0.17m채용, × 32bit 데이터 전송폭을 실현
대용량 128Mbit NOR형 플래쉬 메모리 신발매
~탑재 기기의 고속화·고기능화에 대응~
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 당사는, 미국 어드밴스트 마이크로 데바이시스(이하, AMD)사와 공동으로, 0.17m Process technology를 채용한 128Mbit NOR형 플래쉬메모리(*1)를 개발해, 11월 15일부터 「MBM29PDL1280F」으로 판매를 개시합니다.
본제품은 고속화를 실현하기 위해 ×32bit의 데이터 전송을 채용하고 있습니다. 또 Page Mode (*2)와 Dual Operation(*3)기능을 탑재하고 있습니다.
최근, Car navigation, Printer, 휴대전화등의 기기의 처리속도의 고속화, 및 통신기능의 고기능화가 현저하게 진행되고 있습니다. 그 때문에 이런 기능에 탑재된 프로세서의 고속화가 필수가 되고, 데이터 전송폭이 종래의 ×8/×16비트가 ×8/×32비트 또는 ×64비트로 옮겨지고 있습니다. 그것에 따라 Flash Memory에 있어서도, 데이터 전송폭의 확장에 의한 고속화와 대용량화가 요구되어지고 있습니다.
본 제품은, 읽어내는 스피드의 고속화를 꾀하여,128비트에는 최고 속도의 25ns초(페이지 모드 억세스일때)를 실현했습니다. 또, 데이터 전송폭을 종래의 ×8/×16비트에서 ×16/×32비트로 확장한 것에 의해, 대량의 데이터를 한 번에 고속 처리 할 수 있어 탑재 기기의 프로세서와의 정합성을 향상시킬 수 있습니다. 게다가 데이터의 읽기/쓰기/삭제를 동시에 실행할 수 있는 듀얼 오퍼레이션 기능을 채용하고 있습니다. 거기에 더하여, 기판 실장 전에, 플래쉬 메모리를 대량으로 기록할 때에 유효한 가속화(*4) 기능을 탑재하고 있습니다.
보안기능에 대해서는, 기기의 대량 불법 복사를 막는 Hi-ROM(*5)기능, 부트 블록부(시스템 프로그램을 격납부)의 Sector를 하드웨어적으로 프로텍트하는 Write Protection (*6)기능, 신Sector Protection(*7)기능을 채용하고 있습니다.
본 제품은 후쿠시마현 아이즈 와카마츠시에 있는, 당사와 AMD 의 합작회사, 후지쯔 AMD Semiconductor 주식회사의 제3 공장(이하, JV3)에서 양산합니다. 2000년 7월에 착공한 JV3는 양산 시작이 순조롭게 진행되어, 2001년 11월부터 64Mbit Dual Operation품의 양산을 개시하고 있습니다. 당사는, 향후도 고객의 요구에 부응하고자, 브로드 밴드 · 인터넷의 시대에 최적인 다기능화, 고기능화, 새로운 대용량화 등을 실현한 제품을 보다빨리 개발해, 제공하겠습니다.
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[샘플가격]
6천엔(세금 별도) [SSOP(*8)의 경우]
[출하시기]
샘플 2001년11월15일부터
양산 2002년 3월부터
[판매목표]
100만개/월
[주요사양]
프로세스 : 0.17미크론 CMOS 프로세스
셀 구조 : 2층 폴리 실리콘 구조 NOR형 메모리 셀
출력구성 : 8M×16bit / 4M ×32bit (128Mbit)
듀얼 어플레이션 기능 탑재
뱅크 구성 (4뱅크 구성) :
뱅크A - 16Mbit,뱅크B - 48 Mbit, 뱅크C - 48 Mbit, 뱅크D - 16 Mbit
Hi-ROM기능 탑재 Hi-ROM영역 256bit
WP#/ACC (Write Protection/ AC억세라레이션)기능 탑재
신섹터 프로테이션 기능 탑재
Common Flash Memory Interface (CFI) 탑재
엑세스 타임 : 주소(표준) 70/80나노초(최대)
주소(페이지 모드) 25/30나노초(최대)
CE# 70/80 나노초 (최대)
OE# 25/30나노초(최대)
단일전원동작 : 2.7V ~3.6V
저소비 전류 : 오토매틱, 슬리프 모드 탑재 스탠바이전류: 5㎂(최대)
읽어내는(Read) 동작 60㎃ (최대) -워드 모드, f=10MHz시
써 넣는(Write)/소거(Erase) 동작 35㎃ (최대)
소거/서넣는 횟수 10만회(최소)
패키지 : 표준 90핀, 플라스틱 SSOP(*8)
표준 96볼, FBGA(*9)
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[용어 설명]
*1 NOR형 Flash Memory 에서 가장 표준적인 타입, 병렬 셀 구조로, 데이터를 고속.랜덤으로 읽어낼 수가 있습
니다.
*2 페이지 모드(Page Mode) 일부의 주소에 대하여 고속으로 읽어 낼 수 있는 기능입니다.
*3 듀얼 오퍼레이션(Dual Operation)
데이터의 읽고 기록.소거를 동시에 할 수 있는 기능입니다.
*4 Acceleration
외부로부터의 고전압인가에 의해 기록 시간의 단축이 가능해, 통상에 비해 고속으로 기록이 가능한 기능
입니다.
*5 Hi-ROM(Hidden Read Only Memory)
Security code나 고유의 정보를 입력해 두는 영역입니다.
*6 Write Protection
주소 상위, 하위 각각의 섹터를 하드웨어적으로 프로텍트하여 오기록을 막는 기능입
니다.
*7 New Sector Protection
종래부터 있는 고전압 인가로 실시하는 섹터 프로텍트 방식에 가세해, 설정 커멘드의 입력만으로 각 섹터의
프로텍트가 가능한 새로운 방식의 섹터 프로텍트 기능으로, 각 섹터에 쓰여진 데이터를 보호하는 기능입니다.
*8 SSOP(Shrink Small Outline Package)
얇은 형태 표면 실장 패키지의 일종입니다.
*9 FBGA (Fine -pitch Ball Grid Array)
볼단자 간격이 0.8㎜이하의 표면 실장 패키지의 일종입니다
[상표]
기재되어 있는 제품명 등의 고유 명사는 각 사의 등록 상표 또는 상표입니다.
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