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일본의 최초!! 지문센서 디바이스 사업에 본격 참여
~ 고신뢰의 인증 기능을 실현~
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후지쯔 주식회사 (이하 후지쯔)는, 반도체 지문 센서 디바이스*1 (이하 지문 센서 디바이스) 사업에 본격 참가해 10월부터 양산을 개시합니다.
후지쯔와 Fujitsu Microelectronic Inc.(이하FMI, 본사 : 미국 캘리포니아주 새노이저시, 사장/CEO:이이다 카즈오)는 , 지문 센서 디바이스 기술 및 지문 인증 소프트웨어*2 기술에 대해, 미국 베리디콤사*3로부터, 올해 5월에 라이센스를 취득했습니다. 동시에, FMI에 지문센서 전용의 개발 거점을 설립했습니다. 향후, 후지쯔와 FMI는, 본기술과 10년 이상의 실적이 있는 주식회사 후지쯔 연구소의 지문 인증 기술을 융합해, 다기능 IC카드나 휴대 기기 등에 지문 센서 디바이스 및 지문 인증 기술을 융합해, 다기능 IC카드나 휴대기기등에 지문 센서 디바이스 및 지문 인증 소프트웨어 상품들의 개발, 제조, 판매를 할 예정입니다.
전자 상거래, 데이터베이스에의 액세스 관리 등에서 프라이버시의 보호를 할 때에는, 본인 인증 기능을 필요로 하게 됩니다. 현재, 높은 인증 기능이 필요한 분야에는, 지문 센서 디바이스가 이용되고 있어 Broadband, Internet시대를 맞이해 다기능 IC카드나 휴대기기 등에도 넓게 보급될 것이라 생각하고 있습니다.
지문 센서 디바이스의 시장은, 현재 20억엔으로, 2004년에는 1,000억엔으로 확대되리라 예상되고 있습니다. 지문 센서 디바이스에는, 정전 용량형, 광학형, 감열형이 있습니다만, 2004년에는, 고신뢰의 인증 기능을 실현할 수 있는 고해상도로 소형화가 가능해져, 정전 용량형이 그 95%이상을 차지할 것이라고 예상되고 있습니다. 후지쯔와 FMI는 이 정전 용향형 지문 센서 디바이스의 개발, 제조, 판매에 중점을 둘 것입니다.
향후, 후지쯔는 지문센서 디바이스와 기존에 실적이 있는 FRAM*4를 탑재한 다기능IC카드용LSI를 편성해 가장 신뢰성이 높은 보안의 솔루션을 실현해, Broadband Internet의 시대에 요구되는 상품군을 제공해 왔습니다. 후지쯔와 FMI는, 세계 시장 40%의 시장 점유율 획득을 목표로, 지문 센서 디바이스 사업에 적극적으로 임하겠습니다.
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[정전 용량 형태 반도체 지문 센서 디바이스의 특징]
1. 비광학식으로 안정된 동작의 실리콘계 반도체 디바이스
2. 범용 실리콘계 반도체이기 때문에, 각종 제어 회로, 메모리, 인터페이스 등의
Integration가 용이, 또 저소비 전력화도 실적 있는 기술을 적용.
3. 용도에 따른 다양한 센서 면적을 실현
4. 반도체 제조 기술을 선택함으로 최적의 지문상의 분해 능력을 실현
5. 고경질 보호막에 의해 고내구성을 실현
[인증 소프트웨어의 특징]
1. 지문 데이터로부터 지문상의 복원이 불가능한 방법을 채용해 프라이버시를 보호
2. 지문상의 회전, 차이들을 흡수해, 고인증 정밀도를 실현
3. 지문 하나당의 데이터양이, 300~ 600byte정도로 지극히 작기 때문에, 데이터의
취급이 용이
4. 편입용 소프트웨어 개발 환경을 제공
[용어 설명]
*1 : 반도체 지문 센서 디바이스
본인 인증을 하기 위해서 상(象)을 채취하는 디바이스입니다. 지문 센서에는 광학형, 감
열형, 정전 용량형이 있습니다. 정전 용량형은 고신뢰의 인증 기능을 실현할 수 있어,
고해상도로 소형화가 가능합니다.
*2 : 인증 소프트웨어
미리 등록된 지문 데이터와 체취한 지문 데이터를 비교해 본인 인증을 하는 소프트웨어
입니다.
*3 미국 베리디콤(Veridicom)사
본사 : 미국 캘리포니아주 산타클라라시
사장 : 마이클드모아 (Michael D'Amour)
*4 : FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
강유전체 재료를 이용한, 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 불휘발성 메모리입니다.
저소비 전력으로, 고속 기록, 고빈도로 고쳐 쓸 수 있습니다.
[상표]
FRAM은 램트론사의 등록상표입니다.
. 그 외의 제품명 등의 고유명사는, 각 사의 상표 또는 등록상표입니다.
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