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DIGITAL 가전용 기기용 업계 최초, System in Package전용 64MB FCRAM발매
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~소비 전력을 30%이상 절감~
당사는 후지쯔VLSI주식회사(본사: 愛知현 春日井시, 사장:武田 宏史)와 공동으로 System in Package(이하 SiP)*1 전용의 SDRAM Interface을 채용한 64MB (x64)FCRAM MB811L646449」를 개발해, 7월 4일부터 발매합니다.
본 제품은 Bus 폭을 x64 Bitfh 구성한 것으로서 Digital Video Camera나 DVD Recorder등의 디지털 가전기기에 최적인 대용량 화상 처리를 할 수 있습니다. 또, SiP전용에, 입출력 회로 및 메모리셀 주변 회로를 최적화해, 저전압화(2.5V), 및 동일 밴드 폭의 환산으로 약 30%의 저소비 전류화 (240mA)를 실현하고 있습니다.
최근, 디지털 네트워크 정보사회의 발전에 의해, 그것들의 시스템은 고기능화하고 있고, 탑재되는 부품에도 소형화나 저소비 전력화, 고기능화가 요구되고 있습니다. 그러한 요구에 대응하기 위해서, CPU, LOGIC 주변회로 및 메모리 등의 각종 LSI를 하나의 Package에 탑재하는 SiP가 주목되고 있습니다.
본 제품은, 현재 화상 처리 기기로 가장 많이 보급되어 있는 Clock 주파수 81MHz x 8Byte로, 648 MByte /sec의 고 밴드폭을 실현하고 있습니다. 또, 당사 독자적인 시험 BURN IN용이회로(*2) 를 탑재함으로서 Package조립후의 메모리의 시험이나 초기 불량을 없앨 수 있습니다.
본 제품은, BASE CHIP으로 제공뿐만 아니라 당사 LOGIC LSI와 ONE Package화한 SiP으로도 제공됩니다.
당사는, 향후도 고객의 Appication에 적절한 ASM*3 를 적극적으로 개발, 제공하도록 하겠습니다.
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【출하시기】2001년7월4일 (샘플 출하)
【샘플가격】2,500 엔 (세금 별도)
【판매 목표】50만개/월
【주요 사양】
·프로세스 : 0.2Micron Process Polysilicon 3층, Metal 3층
·전원전압 : 2.5V ± 0.2V
·동작주파수 : 81MHz ;MB811L646449-12
RAS Cycle Time 72ns
Clock Access Time ;9ns
54MHz; MB811646449-18
RAS Cycle time:108ns
Clock Access Time ; 9ns
·Active 전류: 240mA
·Bus 폭 : x64 Bit I/O구성
(1MB x 32Bit I/O, 2Part구성)
·CAS Latency : 2
·I/O Interface : LVTTL(*4)
【용어 설명】
·*1 SiP (System in Package) :
복수의 LSI를 단일 패키지에 탑재해, 시스템을 구축하는 방법입니다.
·*2 시험/Burn in 용이 회로
chip상에서 자기 진단 테스트를 할 수 있는 회로나, Wafer상에서 Burn In실험을 용이하게 할 수 있는
회로입니다.
·*3 ASM (Application Specific Memory):
특정 용도용 메모리입니다.
·*4 LVTTL (Low Voltage TTL):
전원 전압의 저전압화에 수반하여, 입력 신호 레벨의 저전압 대응 규격입니다.
(VIH(min)=2.0, VIL(Max)=0.4V)
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